flash���������������,Flash读写

FLASH简单的读、写操作

主存储器是以页为单位划分的。stm32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。

主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据。起始地址0x08000000，b0和b1接GND从这里开始执行程序。信息块用于负责由stm32出厂时放置2KB的启动程序(BootLoader)和512B的用户配置信息区。启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，b0接3.3v，b1接GND运行的就是这部分代码 ，用作串口下载代码。闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构 。在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理 。 ​ 操作流程(详见STM32F1 开发指南（精英板-库函数版) ) 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’ 1’用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’ 1’等待 BSY 位变为’ 0’读出被擦除的页并做验证 库函数级的操作流程 确定要写入Flash的首地址（稍后介绍确定地址的方法）解锁Flash对Flash进行操作（写入数据）对Flash重新上锁

要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。（我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响）这里采用的是STM32F103（大容量产品）写入的首地址为0x0807F800；

添加STM32 flash底层固件库文件stm32f10x_flash.c

编写自己的Flash驱动库文件,如下

Flash.h #ifndef __FLASH_H#define __FLASH_H #include "sys.h" void FLASH_W(u32 add,u16 dat);u16 FLASH_R(u32 add);#endif Flash.c #include "flash.h"//FLASH写入数据void FLASH_W(u32 add,u16 dat){ //参数1：32位FLASH地址。参数2：16位数据// RCC_HSICmd(ENABLE); //打开HSI时钟 FLASH_Unlock();//解锁FLASH编程擦除控制器 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位 FLASH_ErasePage(add); //擦除指定地址页 FLASH_ProgramHalfWord(add,dat); //从指定页的addr地址开始写 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位 FLASH_Lock();//锁定FLASH编程擦除控制器}//FLASH读出数据u16 FLASH_R(u32 add){ //参数1：32位读出FLASH地址。返回值：16位数据u16 a;a = *(u16*)(add);//从指定页的addr地址开始读return a;} main.c #include "stm32f10x.h" //STM32头文件#include "sys.h"#include "delay.h"#include "led.h"#include "key.h" #include "flash.h" #define FLASH_START_ADDR0x0807F800//写入的起始地址int main (void){//主程序u8 key;u16 a; //定义变量//初始化程序RCC_Configuration(); //时钟设置LED_Init();//LED初始化KEY_Init();//按键初始化a = FLASH_R(FLASH_START_ADDR);//从指定页的地址读FLASH//GPIO_Write(LEDPORT,a); //直接数值操作将变量值写入LED（LED在GPIOB组的PB0和PB1上）//主循环while(1){key = KEY_Scan(0);if(key == WK_UP_PRES){a++;if(a>1)a=0;FLASH_W(FLASH_START_ADDR,a);}else{delay_ms(10);}LED0=a;}} Flash操作注意事项： 操作一定要先擦后写每页是1024个地址，起始地址0x08000000擦除操作以页为单位，写操作必须以16位宽度为单位，允许跨页写入。STM32内置Flash擦或写时，必须打开外部/内部高速振荡器。Flash可最多擦写10万次，不可死循环擦写。擦写时要避开用户程序存储的区域，否则会擦掉用户程序导致错误。擦除一页要10ms（对于1k大小的一页），比较慢，而且不能单个字节的擦写。